本文为作者整理的物联网技术相关书单，涵盖了物联网入门，协议，架构，设计，安全，云计算和边缘计算，读完你就是一个合格的物联网技术“...
感谢大家支持和参加2020年1月Arm中国联合教育部软硬件协同设计中心，上海市电子学会，安创空间主办，IAR，Gowin，安芯教育以及移知科技...
Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，制造和交付给...
学过一门计算机系统结构相关的课（微电子专业），上过这课的同学应该都“深（yi）有（yan）体（nan）会（jin）”。我一直认为学习新事物需...
《窄带物联网NB-IoT应用开发共性技术》由苏州大学王宜怀教授等所著，2019年5月正式出版。该书也是2019年5月11-13日在苏州大学举办的针对...
本期获奖名单极术小姐姐把获奖名单整理出来了，大家的回帖都很优秀，希望这个春节你一切平安，获奖名单如下：总分第一奖（2名）：奖金 2...
最近越来越多的客户在问TF-M和PSA之间是什么关系，以及想了解更多TF-M的细节和规划，我们在这里对这些问题进行统一回答。
祝贺以上获奖的小伙伴！Arm教育计划工作人员会给中奖用户发送邮件通知并尽快顺丰快递寄出。请中奖用户微信关注顺丰公众号，用手机号登陆...
everspin MRAM是为LSI Corporation（现在的Avago Technologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSA...
自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储...
2020-01-09 周四 12:30 开播 回顾中
2020年1月3日极术邀请了毕业于上海交通大学的Arm 中国系统软件技术支持经理杨志飞给大家直播分享了2020年第一场分享Arm系统热管理及功耗...
编译Trusted Firmware - M(TF-M)程序本身依赖于python, cmake, make和工具链，这些工具都能在windows下找到对应的版本，所以在Windows下...
EAIDK-310 开发套件集成 40 Pins IO 扩展接口，其中包括9个GPIO口，可用于高效的控制结构简单的外部设备或者电路。上期我们已经介绍了《...
灵动微电子基于Arm Cortex-M系列内核开发的MM32 MCU产品拥有F/L/SPIN/W/P五大系列，200多个型号规格，累计交付近亿颗MCU，在本土通用32...
介绍TF-M与Amazon FreeRTOS Kernel和TLS服务集成的情况 (David Wang from Arm) slides
TF-M第一次开放式技术讨论会议确认会议目的讨论会议举行的频率（两周一次）及举行时间（未定）技术topic：TF-M Interrupts (Ken Liu fro...
Trusted Firmware M 是Arm开源的PSA（平台安全架构）参考实现.TF-M的基础编译环境是基于Linux下的（Keil Pack除外）。在部署TF-M开发环...
2020-01-03 周五 12:30 开播 回顾中
随着技术的进步，批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力，促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升，静...
开发板上主控 SOC 的性能比较弱，没有带 3D 图形加速(即 GPU)功能，比如 i.MX6ULL
汽车动力总成模块使用闪存技术在断电（保持活动内存（KAM）和非易失性内存（NVM））期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计...
TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测...
EAIDK-310 开发套件集成 40 Pins IO 扩展接口，其中包括9个GPIO口，可用于高效的控制结构简单的外部设备或者电路，今天我们就介绍下基于...
MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠，由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成，部分薄膜层的厚度仅达数埃，比人类的发丝还要薄5...
everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读...
2020年三个关键技术：5G，AI和区块链。
武汉新芯集成电路制造有限公司是国内紫光存储旗下一家领先的非易失性flash芯片存储供应商，武汉新芯宣布推出50nm Floating Gate工艺SPI ...
单片机内核Cortex-M3的六个知识点1.指令集32位ARM指令集：对应ARM状态16位Thumb指令集：对应Thumb状态（是ARM指令集的一个子集） 指令...
MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（free layer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易...
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