STT-MRAM非易失性存储芯片的存储单元由一颗选通晶体管与一个MTJ（磁隧道结）构成，即1T1R结构。MTJ的核心是三层薄膜：自由层、MgO隧道氧化层、参考层。当自由层与参考层的磁化方向平行时，隧穿电阻较低，记为逻辑“0”；反平行时电阻升高，记为逻辑“1”。
写入时，极化电流垂直穿过MTJ，把自旋角动量传递给自由层，使其磁化方向翻转——这就是STT（Spin-Transfer Torque，自旋转移矩）。整个过程不需要外部磁场，也不需要电荷泵升压。
由此带来的四个特性，构成了NETSOL非易失性存储芯片产品的技术基础。
真正的非易失。非易失性存储芯片数据以磁化方向存储，不存在电荷泄漏路径。断电二十年，信息依然完整。
近乎无限的写入寿命。磁矩翻转不会损伤隧道氧化层，写寿命达到10¹⁴次。以每秒写入一千次计算，理论可用三千年以上。
无需擦除的覆盖写。MRAM没有“擦除”这个动作。改写一个字节就是改写一个字节，不涉及扇区、不涉及块、不涉及垃圾回收。
极低的静态功耗。没有高压产生电路，写入电流仅毫安级；深度掉电模式下，1.8V器件仅消耗25µA。
非易失性存储芯片的10¹⁴次写寿命与20年数据保持，都是在不使用外部ECC的条件下达成的。系统因此可以省掉EDAC中断、巡检任务与校验存储的全部开销。英尚微电子作为拥有十余年技术积累的芯片供应商，提供涵盖宽压、低功耗系列MRAM产品，并可协助完成时序匹配、PCB布局及固件适配等工程环节。如需获取详细数据手册或应用笔记洽英尚微电子。
