工业采集终端需要长期离线采集传感器数据，传统方案选用低功耗ISSI SRAM，配合超级电容+电源监控芯片，断电后依靠后备电源维持数据。整套方案需要预留电池/电容位置、配套电源管理电路，BOM器件多，长期使用存在电容老化、低温掉电丢失数据风险；同时近期ISSI SRAM交期波动，项目面临供货延期压力。为此，英尚采用NETSOL STT-MRAM完成替代，在不改板的前提下用MRAM替代ISSI nvSRAM，解决原有方案痛点。
MRAM替代ISSI nvSRAM项目选型评估中，NETSOL MRAM作为异步接口STT-MRAM，支持pin-to-pin评估替换原有ISSI nvSRAM。时序参数与原SRAM匹配，读写速度接近SRAM，同时自带非易失特性，断电无需维持供电，直接去掉后备电容、电池与掉电检测电路，PCB布局空间得到释放，简化硬件架构。在宽温-40℃~85℃工业工况下，读写耐久性、数据保持能力经过板级验证，满足终端高频记录、频繁掉电重启的使用场景。
软件层面改动量很小，原有ISSI nvSRAM读写逻辑基本复用，仅少量掉电备份、上电恢复逻辑可以裁剪，大幅缩短固件调试周期。对比测试显示，整机静态功耗下降，规避了电池老化带来的售后问题，同时NETSOL MRAM现货稳定，缓解海外存储物料缺货带来的项目风险。
MRAM替代ISSI nvSRAM方案通过验证表明，在工业采集、便携测控、物联网边缘节点这类需要高速缓存+掉电保数的场景，NETSOL MRAM是ISSI SRAM电池备份架构优质替代路线。如果您项目正在评估存储方案、有pin-to-pin兼容性验证需求，欢迎联系我们提交方案评估，申请样品实测。
