MRAM的全称是Magnetoresistive RAM，磁阻随机存取存储器。MRAM嵌入式非易失存储器用电子自旋的磁化方向来存储比特，而不是像Flash那样靠浮栅里困住的电荷。这个物理机理的差异，直接换来了四个Flash和EEPROM无法同时给出的特征：
1、非易失。掉电即保持，不需要电池也不需要超级电容。这意味着后备电源电路可以整体删掉，省BOM、省面积、免维护。
2、写入无延迟。不需要擦除，写入即刻生效。这一条是最要命的——掉电前的最后一刻，母线电容上还剩一点余量，计量值、故障码、累计数据必须在这几毫秒里写进去，Flash做不到，MRAM做得到。
3、近乎无限的耐久性。以NETSOL串行系列为例，标称写耐久10的14次方次，读无限制。工程上完全不需要做磨损均衡算法，也不需要外挂ECC。
4、长周期数据保持。十年以上（85℃），MRAM嵌入式非易失存储器足以覆盖工业设备十到二十年的生命周期要求。
STT-MRAM（NETSOL S3A系列）走的是自旋转移矩路线，用电流直接翻转磁矩，单元更简单，微缩性优秀，是业界公认的主流方向，也被称为MRAM的第二代产品。NETSOL MRAM嵌入式非易失存储器有108MHz SDR或54MHz DDR、10的14次方次写，非易失特性。写保护上，NETSOL除了/WP硬件保护，还多给了Block Lock分区保护，属于增强。增强存储区方面，NETSOL额外提供256-byte增强非易失区。XIP也是NETSOL侧的支持项，可以用来做代码就地执行。英尚微代理NETSOL各种高性能MRAM内存芯片，如需了解更多，搜索英尚微电子网页。
