做嵌入式开发的工程师，对ISSI低功耗SRAM都不陌生，工控、医疗、数据采集里常拿它做缓存和参数暂存。ISSI SRAM有个短板：掉电即丢数据。要保住数据，往往得再挂NOR Flash或电池备份，成本与PCB面积一起上去。这时候寻找替代低功耗ISSI SRAM的嵌入式存储方案就十分重要。
1、STT-MRAM凭什么能替代
STT-MRAM（自旋转移扭矩磁性随机存储器）正好补上这个缺口。读写速度介于DRAM与Flash之间，在新兴存储里最接近DRAM，同时具备非易失、低功耗、高密度特性，读耐久近乎无限，85℃下数据保存20年，抗强磁场干扰。把SRAM的速度和Flash的掉电不丢数据装进同一颗芯片，覆盖嵌入式非易失内存、工作内存、末级缓存。
2、ISSI SRAM替代具体型号怎么选
NETSOL STT-MRAM分串口、并口两条线，低功耗SRAM替换以并口为主。16Mbit的S3R1616R1M为1M×16位宽，1.71V～1.98V供电，70ns，工业级-40℃～85℃，48FBGA与54TSOP2封装，直接对标ISSI的IS62WV102416；8Mbit的S3R8016支持x16/x8，可替换同规格FRAM、低功耗SRAM与nvSRAM。NETSOL STT-MRAM走SPI的话，串口S3A系列1Mb到64Mb，1.8V、3.3V两档可选。
3、ISSI SRAM替换后省在哪儿
NETSOL STT-MRAM并口沿用44TSOP2、54TSOP2、48FBGA等工业标准封装，电气规格对标设计，替换后固件基本不用大改。更实际的是，一颗MRAM顶掉"SRAM+电池"或"NOR Flash+SRAM"组合，省掉后备电路，PCB面积和整机功耗一起下降。BOM少一种料，库存和供应链都轻松；没有电池要维护，运维成本更低，电池耗尽导致固件丢失的隐患从源头消失，工控、车载等长期运行设备更受益。如果要寻找ISSI SRAM的存储替换方案，NETSOL STT-MRAM是一个很好的选择。英尚微电子作为NETSOL原厂代理，可以提供存储芯片选型与技术支持。
