异步SRAM不需要外部时钟同步，接口简单、时序友好，在嵌入式、网络设备、工业控制等场景中一直有稳定需求。下面围绕4Mbit异步SRAM，聊几个选型时值得关注的维度。
一、访问速度怎么选
速度是最直观的指标。主流4Mbit产品线覆盖8ns、10ns、12ns三档访问时间。8ns版本适合响应要求高的场合，12ns版本在成本功耗上更有余量，按实际总线周期决定即可。
二、供电范围要宽
3.3V、2.5V、1.8V的平台并存，宽压设计的异步SRAM能做到1.65V~3.6V供电，单颗料覆盖三种主流电压，省去多料号管理，也方便电源轨迁移。
三、位宽按数据总线定
同一密度提供256K×16和512K×8两种组织。16位模式适合数据总线宽的处理器，8位模式贴合老式总线或对引脚敏感的设计；16位模式还支持上下字节独立控制，可按字节读写。按系统总线宽度对应即可。
四、功耗表现
异步SRAM芯片采用先进CMOS工艺和6管单元结构，全静态工作，没有刷新负担。片选置高时待机电流典型值约2.5mA，对电池供电产品友好；数据保持电压在3.3V平台低至2.0V，1.8V平台为1.5V，断电前可简单维持数据。
五、封装与可靠性
常见封装为44脚TSOP2和48球FBGA。TSOP2便于焊接返修，FBGA体积更小，适合高密度布局。工作温度覆盖-40℃~85℃工业级，符合RoHS要求。异步SRAM虽面世多年，但在追求低延迟、简单接口的场合依然不可替代。
六、部分型号推荐
英尚供应多个品牌的型号，如issi sram芯片，
IS62C10248AL
IS62WV10248DALL/BLL
IS62WV51216ALL/BLL
IS62C51216AL
IS62/65WV51216EALL/EBLL
IS62WV10248EBLL
IS65WV10248EALL
IS65WV10248EBLL
IS62/65WV10248EALL/EBLL
IS62WV5128EALL/EBLL/ECLL
IS62C5128BL
IS62WV5128DALL/DBLL
IS62WV5128ALL/BLL
S62C25616BL
IS62WV25616ALL/BLL
IS62WV25616EALL/EBLL/ECLL
IS62WV5128DALL
IS62WV5128DBLL
IS65WV5128DALL
IS65WV5128DBLL
可替代issi sram的EMI sram芯片：
EMI501HB08PM45I
EMI501HB08PM-55I
EMI501NL16VM-55I
EMI501NL16LM-55I
EMI502NL16VM-55I
EMI502NL16LM-55I
EMI504NL08WM-55IT
EMI504NL08PM-55IT
EMI504HL08WM-55I
EMI504HL08PM-55I
EMI504HL08YM-55I
EMI504NL16VM-55IT
EMI504NL16LM-55IT
EMI508NL08VM-55IT
EMI508NL08LM-55IT
EMI508NL16VM-55I
EMI508NL16LM-55I
netsol sram芯片：
S6L3216W1M
S6L3216W2M
S6L3208W1M
S6L3208W2M
S6L1616W1M
S6L1616W2MS6L1608W1M
S6L1608W2M
S6L8016W1M
S6L8016W2M
S6L8016C1M
S6L8016C2M
S6L8008W1M
S6L8008W2M
S6L8008C1M
S6L8008C2M
S6L4016W1M
